VPI 高真空双靶双射频溅射镀膜仪 SD-650MH 配备双靶位与双射频电源，可支持两种不同靶材的独立或组合沉积，适用于金属氧化物、氮化物、介质薄膜、半导体薄膜、透明导电膜、传感器功能层、电极层及多层复合膜等材料研发。

在工艺应用上，设备可通过单靶溅射完成基础薄膜制备，也可利用双靶结构进行交替沉积、多层膜构筑或共溅射实验，帮助用户调控膜层厚度、成分比例和界面结构。

双射频配置尤其适合绝缘靶材及高阻材料沉积，可用于氧化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化锌、ITO 等介质或功能材料的实验开发。配合高真空环境与气体流量控制，用户可进一步开展 Ar 溅射、Ar/O₂ 反应溅射、Ar/N₂ 反应溅射等工艺探索，实现从材料筛选、参数优化到小样品制备的完整研发流程。