综述了聚焦离子束溅射在微米/纳米制造方面的应用， 讨论了微米/纳米结构材料的溅射 方法 一些物理量： J0=电流强度峰值（位于粒子束的中心） K1，K2=不同晶体结构的材料因数以及其他的独立属性 α=能量传递系数 φ=离子流量 η=目标原子密度 σ=标准差 δ=像素间距（单位：纳米） φ（x，y）=（x，y）点处的离子流量 εb=原子键能 ∆Zij=点（x，y）处的溅射深度 a=累积强度变量剖面的峰谷值 A=孔径尺寸（纳米） B=粒子束功能 -1-
聚焦离子束（FIB）溅射 d=离子量 fx，y=二维高斯光束的能量密度 I=离子束流量总量 J（x，y）=点（x，y）处的离子流强度 M=材料功能常数 mi，mt=入射离子的质量以及目标粒子的质量 MRR=材料移除率 R=溅射面厚度 r=FIB半径（纳米） Ra，Rmax=表面粗糙度的平均值及最大值（谷峰值） S（θ）=溅射角 TC=溅射时间 Td=保延时间 tx，y=点（x，y）处的离子溅射保延时间 U0=原子键能 V=增速电压 Y（E）=普通溅射产量 z=溅射深度 -2-
聚焦离子束（FIB）溅射 Zi，Zt=源原子的核电荷数和目标原子的核电荷数 1 介绍 聚焦离子束系统（FIB-focused ion beam）商业化制造已经接近 30 年。
最初主要给 大型半导造商。
聚焦离子束 FIB，利用镓离子在很高的空间分辨率下切割去除材料。
这 样可以在样品特殊的位置制作剖面（断面） 。
样品既可以直接在 FIB 中研究，也可以转移到 扫描电镜或者透射电镜中进行精细分析。
当镓离子和一定气体作用，它也有可能沉积材料。
因此 FIB 在很广阔的应用范围内能被用于多功能工具使用。
FIB 系统的操作除了不用电子束以外和扫描电镜工作方式非常相似。
大多数 FIB 系统装 备液态金属离子源（LMIS） ，加热的同时伴随一定的拔出电压，获得镓离子束。
通过一套电 子透镜精细聚焦的镓离子束，在束偏转线圈的作用下，形成扫描光栅。
离子束的能量分散约 为 5ev，为了降低像差，在离子束光轴上设置光阑，为了消除象散，使用八级线圈作为消象 散器。
如果是合金离子源，通过质量选择器来选择离子。
离子束可通过溅射对样品局部进行 移除，局部沉积，也可以用于材料 FIB 表面成像。
聚焦离子束（FIB）在显微机械加工领域得到广泛的应用，在微电子等领域的应用例如 分析及修改集成电路、修剪磁头等，FIB 的应用可以成功地扩展在其他领域并取得成就，用 于扫描电子显微镜 （SEM） 成像技术， 也可以用于其他分析设备诸如： 隧道电子显微镜 （TEM） ， 二次离子质谱（SIMS）等。