：包括气压、离子电流、溅射时间等。SD-900采用了CPU程序控制定时和功能，各项参数设定直观可靠，可实现对真空腔压强和离子电流的实时调节，以获得最佳镀膜效果。合理的工艺设定能确保薄膜以适当速率生长（SD-900溅射速率可达4 nm/分钟以上），避免过高温升对样品的损伤，并控制晶粒生长和应力。

样品制备流程的每一步都直接关系到薄膜最终质量。例如，清洁的表面使薄膜附着更牢固，减少膜下界面缺陷；优化的真空和气氛防止薄膜在沉积过程中氧化变色或产生气孔；均匀的工艺参数和样品旋转等措施则保证了大面积上的膜厚均匀性。实验表明，通过良好的制备流程，可获得致密且纯净的膜层，显著减少针孔和杂质含量。同时，多次重复制膜时厚度的一致性也更有保障——因为溅射沉积可以通过电流和时间精确控制膜厚，每次都能重现设定的膜厚目标。因此，规范的样品制备和SD-900这类性能稳定的镀膜仪相结合，使薄膜质量、均匀度和重现性都达到科研要求的高标准。

二级直流离子溅射技术的原理与优势

直流离子溅射（DC Sputtering）是溅射镀膜最基础也最早应用的技术之一。在典型的直流溅射系统中，靶材连接阴极、基片或腔体为阳极，两极间施加直流高压电场，在氩气等离子体中加速正离子撞击阴极靶材表面。高速氩离子将靶材表面的原子击出，这些被溅射出的原子随即飞向基片并沉积成薄膜。因为该溅射装置主要依赖阴阳两极电场维持放电，所以在中文中常形象地称为“二极溅射”装置，其核心仍是直流等离子轰击靶材的物理过程。

直流溅射具有结构简单、使用方便的优点，但由于缺乏磁场约束等增强手段，在等离子体维持和沉积速率方面相对效率较低。例如，传统直流溅射需要一定气压（>0.1 Pa）的氩气才能维持放电，且无法直接溅射绝缘材料（因为直流电荷会在绝缘靶表面积累）。为克服这些不足，后续发展了射频溅射、磁控溅射等改进技术。不过，在很多科研与试制场景下，直流溅射仍然因其稳定可靠和成本较低而被广泛采用，尤其适用于溅射金属等导电材料薄膜。

二级直流离子溅射由于持续的离子轰击，能赋予薄膜一些独特优势。首先，直流溅射提供了连续的离子动能输入，使沉积原子在抵达基片时仍具有较高能量，有助于在薄膜生长过程中实现原子重排和致密堆积。研究指出，直流溅射脱靶原子的能量比热蒸发法高出1~2个数量级，高能原子在基片表面沉积时会转化为热能并促进膜原子扩散, 这一过程增强了膜与基底的结合力。部分高速原子甚至会嵌入基片表层，形成过渡扩散层，同样有利于膜层